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澳门十大网站博士生在新型冠状病毒灭活用深紫外LED芯片取得新进展

分类: 学术科研     作者: 陈敏     审核:     来源: 本站     时间:2020-04-22    访问量:524   

为了应对新型冠状病毒(COVID-19)全球的大爆发,全世界的研究人员都在潜心寻找能够对抗新型冠状病毒传播的方法。发光波长在260 - 285 nm范围内的深紫外LED由于能够快捷高效的灭活新型冠状病毒,因此被视为阻断病毒传播的一项重要武器。近日,澳门十大网站机械系博士生唐斌在国际权威期刊《Applied Surface Science》上发表深紫外LED芯片最新研究进展,论文题目为《Growth of high-quality AlN films on sapphire substrate by introducing voids through growth-mode modification》。论文通讯作者为周圣军,澳门正规赌博十大网站为论文第一作者和通讯作者单位。

4月初,首尔半导体展示一款深紫外LED消毒设备,99.9%的新型冠状病毒在30秒内被灭活。但是深紫外LED高昂的制造成本仍然制约其走向广泛应用的一个重要因素。在周圣军老师指导下,唐斌和胡红坡开发了一种具有良好成本效益的生长高质量AlN薄膜的方法并且在此基础上制造峰值波长为283 nm的深紫外LED芯片通过在金属有机化学气相沉积(MOCVD外延生长过程中AlN的生长模式进行调控他们在平片蓝宝石衬底上生长AlN薄膜引入空隙结构这些空隙结构不仅可以有效的过滤由于蓝宝石衬底AlN晶格常数以及热膨胀系数差异引起的位错而且能够释放AlN薄膜中的残余应力从而实现了在平片蓝宝石衬底上生长高质量AlN薄膜。这一技术对于推进深紫外LED芯片的应用进程具有重要的价值。国际半导体领域著名媒体杂志《Compound Semiconductor》以Wuhan Team Grows High-quality AlN films On Sapphire”为题对澳门正规赌博十大网站的研究成果进行了专栏报道。


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283 nm 深紫外LED芯片


原文链接:https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2020.146218

Compound Semiconductor》专栏报道链接:

https://compoundsemiconductor.net/article/111066/Wuhan_Team_Grows_High-quality_AlN_Films_On_Sapphire

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